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分子束外延系統分析介紹
日期：2025-08-01 14:24
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摘要：
分子束外延系統是一種先進的材料生長技術，它在電子領域、能源領域和光電領域中有廣泛的應用。分子束外延被認為是一種高精度的材料生長方法，適用于高質量的單層材料生長。該技術幾乎可以在所有基底上進行，特別適合于硅、鍺、氮化硅和氮化鎵等基底。它的優點包括單原子層生長的能力、高質量的薄膜生長、受控的界面形態和化學成分、以及**的厚度控制等。
分子束外延生長系統的核心部件包括一個真空室、樣品加載平臺、Molecular beam epitaxy(MBE)爐、分子束源和探測系統等。分子束外延爐是生長高質量單晶異質結構的主要工具。在分子束源中，金屬、半導體和氣體源等材料以單原子層的形式供給。這些材料被基底表面的熱激活接收，發生表面化學反應，*終形成薄膜。探測系統則用于測量生長表面的光譜、電學和結構特征。
在分子束外延生長的過程中，材料的選擇和生長條件對*終的薄膜形態和物理性質起著至關重要的作用。通常情況下，分子束外延生長系統要求高真空環境，充分凈化氣體，避免外界雜質對樣品生長的影響。
分子束外延生長系統的核心部件包括一個真空室、樣品加載平臺、Molecular beam epitaxy(MBE)爐、分子束源和探測系統等。分子束外延爐是生長高質量單晶異質結構的主要工具。在分子束源中，金屬、半導體和氣體源等材料以單原子層的形式供給。這些材料被基底表面的熱激活接收，發生表面化學反應，*終形成薄膜。探測系統則用于測量生長表面的光譜、電學和結構特征。
在分子束外延生長的過程中，材料的選擇和生長條件對*終的薄膜形態和物理性質起著至關重要的作用。通常情況下，分子束外延生長系統要求高真空環境，充分凈化氣體，避免外界雜質對樣品生長的影響。
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