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分子束外延系統概述
日期：2025-08-01 14:25
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摘要：
分子束外延系統概述
分子束外延系統是一種用于物理學、化學、材料科學領域的分析儀器，于2013年11月22日啟用。
分子束外延系統是一種用于物理學、化學、材料科學領域的分析儀器，于2013年11月22日啟用。
技術指標
超高真空沉積腔體，本底真空優于10-9mbar。可集成多種薄膜制備和表面分析設備，如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等。可以通過軟件編寫工藝流程，系統自動執行，可實現多層膜的自動化生長。提供激光分子束外延系統原位監測的RHEED的電子槍通常需要工作在較高的真空環境下（小于10-6mbar），但LMBE系統在成膜過程中往往需要較高的工藝壓力，我們的LMBE采用的是STAIB公司生產的差分抽氣RHEED，系統的*高工作氣壓可達100Pa。
主要功能
激光分子束外延系統（LMBE）是在傳統的分子束外延（MBE）和脈沖激光沉積系統（PLD）的基礎上發展而來的，PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀（RHEED）相結合，使得系統能夠實現類似于MBE的，單原子層精度的薄膜生長。相比于MBE的熱蒸發，它是使用脈沖激光的高能量使材料蒸發甚至電離，因此被稱作LaserMBE（激光分子束外延系統）。LMBE屬于**薄膜制備設備，適用于生長各種納米尺度的單層膜或多層膜。
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